IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Код товара: 204750

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRLZ34NSTRLPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

55В

Ток стока макс.

30A

Сопротивление открытого канала

35 мОм

Мощность макс.

3.8Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

25нКл

Входная емкость

880пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

2.3 г.

Описание IRLZ34NSTRLPBF

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Maximum Operating Temperature+175 °C
Maximum Continuous Drain Current30 A
Package TypeD2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation68 W
Mounting TypeSurface Mount
Width11.3mm
Forward Transconductance11s
Height4.83mm
Dimensions10.67 x 11.3 x 4.83mm
Transistor MaterialSi
Number of Elements per Chip1
Length10.67mm
Transistor ConfigurationSingle
Typical Turn-On Delay Time8.9 ns
BrandInfineon
Typical Turn-Off Delay Time21 ns
SeriesHEXFET
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance60 mΩ
Maximum Drain Source Voltage55 V
Pin Count3
CategoryPower MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs25 nC @ 5 V
Channel ModeEnhancement
Typical Input Capacitance @ Vds880 pF @ 25 V
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-16 V, +16 V
Forward Diode Voltage1.3V
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция IRLZ34NSPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies

Способы доставки в Калининград

Доставка IRLZ34NSTRLPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.