IRLR3110ZTRPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 42A

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Транзистор полевой N-канальный 100В 42A
Код товара: 204694
Дата обновления: 26.04.2024 08:10
Цена от: 79,06 руб.
Доставка IRLR3110ZTRPBF , Транзистор полевой N-канальный 100В 42A в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    DPAK/TO-252AA
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    2000 шт
  • Вес брутто
    0.62 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    42A
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRLR3110ZTRPBF

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А63
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.014 ом при 38a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140
Крутизна характеристики, S52
Корпусdpak
Вес, г0.4

Полные аналоги