IRLR2908TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
Код товара: 204692
- ВКонтакте
- Telegram
- РЎРєРѕРїРСвЂВВВВВВВВровать ссылку
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRLR2908TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2000 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
74,94 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 21+ 41+ 81+ 161+99,66 ₽ 91,62 ₽ 85,20 ₽ 79,92 ₽ 76,08 ₽Срок:В наличииНаличие:1 244Минимум:4Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 21+ 41+ 81+ 161+99,66 ₽ 91,62 ₽ 85,20 ₽ 79,92 ₽ 76,08 ₽Срок:В наличииНаличие:98Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
82+ 164+ 820+136,26 ₽ 126,06 ₽ 123,78 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 82Количество в заказ
-
117+74,94 ₽Срок:29 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 117Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRLR2908TRPBF
The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Logic level
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 39 А |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 120 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 6.22мм |
| Высота | 2.39мм |
| Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.39мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.73мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 30 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 80 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1890 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Вес, г | 0.4 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
IRLR2908TRLPBF Полный аналог
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Способы доставки в Калининград
Доставка IRLR2908TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 635 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2224 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 6 раб. дней
от 777 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара