IRLR2908TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Код товара: 204692

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRLR2908TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2000 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

80В

Ток стока макс.

30A

Сопротивление открытого канала

28 мОм

Мощность макс.

120Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

33нКл

Входная емкость

1890пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.4 г.

Описание IRLR2908TRPBF

The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Logic level

Максимальная рабочая температура+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока39 А
Тип корпусаDPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности120 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина6.22мм
Высота2.39мм
Размеры6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина6.73мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения12 нс
ПроизводительInfineon
Типичное время задержки выключения36 ns
СерияHEXFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Максимальное сопротивление сток-исток30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток80 V
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs22 nC @ 4.5 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1890 пФ при 25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-16 V, +16 V
Вес, г0.4

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция IRLR2908PBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт Производитель: Infineon Technologies
IRLR2908TRLPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies

Способы доставки в Калининград

Доставка IRLR2908TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 1613
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2650
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 1924
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.