IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Код товара: 204690
Цена от:
41,49 руб.
-
1+ 74+ 148+ 296+ 592+55,32 ₽ 50,44 ₽ 46,84 ₽ 43,98 ₽ 41,49 ₽Срок:В наличииНаличие:399Минимум:6Количество в заказ
-
1+ 74+ 148+ 296+ 592+55,32 ₽ 50,44 ₽ 46,84 ₽ 43,98 ₽ 41,49 ₽Срок:В наличииНаличие:8 208Минимум:6Количество в заказ
-
1+ 74+ 148+ 296+ 592+55,32 ₽ 50,44 ₽ 46,84 ₽ 43,98 ₽ 41,49 ₽Срок:В наличииНаличие:49Минимум:1Количество в заказ
-
159+ 265+ 530+ 2651+48,50 ₽ 47,69 ₽ 44,87 ₽ 44,06 ₽Срок:6 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 159Количество в заказ
-
90+ 180+141,05 ₽ 132,68 ₽Срок:7 днейНаличие:800Минимум:Мин: 90Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Крутизна характеристики, S | 21 |
Корпус | dpak |
Вес, г | 0.4 |