IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Код товара: 204690
Цена от:
35,04 руб.
-
1+ 74+ 148+ 296+ 592+46,74 ₽ 42,60 ₽ 39,60 ₽ 37,20 ₽ 35,04 ₽Срок:В наличииНаличие:6 307Минимум:7Количество в заказ
-
1+ 74+ 148+ 296+ 592+46,74 ₽ 42,60 ₽ 39,60 ₽ 37,20 ₽ 35,04 ₽Срок:В наличииНаличие:208Минимум:7Количество в заказ
-
1+ 74+ 148+ 296+ 592+46,74 ₽ 42,60 ₽ 39,60 ₽ 37,20 ₽ 35,04 ₽Срок:В наличииНаличие:45Минимум:2Количество в заказ
-
168+ 281+ 559+ 2795+40,86 ₽ 40,20 ₽ 37,80 ₽ 37,14 ₽Срок:6 днейНаличие:3 975Минимум:Мин: 168Количество в заказ
-
109+ 217+103,74 ₽ 97,56 ₽Срок:7 днейНаличие:600Минимум:Мин: 109Количество в заказ
-
13+ 55+ 109+110,76 ₽ 105,48 ₽ 103,74 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 13Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Крутизна характеристики, S | 21 |
Корпус | dpak |
Вес, г | 0.4 |