IRLR110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Код товара: 204680
Цена от:
23,87 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRLR110PBF
The IRLR110PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface-mount
• Logic-level gate drive
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 ом при 2.6a, 5в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
Крутизна характеристики, S | 2.3 |
Корпус | dpak |
Пороговое напряжение на затворе | 2 |
Вес, г | 0.4 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
IRLR110TRPBF Полный аналог
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Способы доставки в Калининград
Доставка IRLR110PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара