IRLL024NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
Код товара: 204652
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRLL024NTRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
28,77 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 103+ 205+ 410+ 820+40,43 ₽ 36,59 ₽ 33,75 ₽ 31,49 ₽ 29,54 ₽Срок:В наличииНаличие:7 043Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 103+ 205+ 410+ 820+40,43 ₽ 36,59 ₽ 33,75 ₽ 31,49 ₽ 29,54 ₽Срок:В наличииНаличие:345Минимум:8Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 103+ 205+ 410+ 820+40,43 ₽ 36,59 ₽ 33,75 ₽ 31,49 ₽ 29,54 ₽Срок:В наличииНаличие:15Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
248+ 416+ 829+31,10 ₽ 30,58 ₽ 28,77 ₽Срок:6 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 248Количество в заказ
-
112+ 224+ 448+ 2240+60,24 ₽ 56,42 ₽ 53,07 ₽ 52,12 ₽Срок:7 днейНаличие:5 600Минимум:Мин: 112Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRLL024NTRPBF
The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.4 A |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2.1 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 3.7мм |
| Высота | 1.739мм |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.739мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.7мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7,4 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 18 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Число контактов | 3+Tab |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 10,4 нКл при 5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 510 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Вес, г | 0.39 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
irll024npbf.pdfАналоги и возможные замены
Способы доставки в Калининград
Доставка IRLL024NTRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара