IRLD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A

Код товара: 204634

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRLD110PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
100 шт
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

1A

Сопротивление открытого канала

540 мОм

Мощность макс.

1.3Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

6.1нКл

Входная емкость

250пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Описание IRLD110PBF

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.54 ом при 0.6a, 5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Крутизна характеристики, S1.3
Корпусhd-1
Пороговое напряжение на затворе2
Вес, г0.6

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRLD110PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.