IRL640PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт

Код товара: 204619

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRL640PBF
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, N-channel, 200V 17A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

17A

Сопротивление открытого канала

180 мОм

Мощность макс.

125Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

66нКл

Входная емкость

1800пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220

Вес брутто

2.72 г.

Описание IRL640PBF

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Ease of paralleling
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
• Simple drive requirements

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.18 ом при 10a, 5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Крутизна характеристики, S16
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе2
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRL640PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.