IRFR3910TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
Код товара: 204248
Цена от:
38,81 руб.
-
1+ 81+ 161+ 322+ 643+52,06 ₽ 47,39 ₽ 43,94 ₽ 41,19 ₽ 38,81 ₽Срок:В наличииНаличие:4 183Минимум:6Количество в заказ
-
1+ 81+ 161+ 322+ 643+52,06 ₽ 47,39 ₽ 43,94 ₽ 41,19 ₽ 38,81 ₽Срок:В наличииНаличие:117Минимум:1Количество в заказ
-
139+ 277+92,82 ₽ 85,87 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 139Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFR3910TRPBF
The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.115 ом при 10a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
Крутизна характеристики, S | 6.4 |
Корпус | dpak |
Вес, г | 0.4 |