IRFP1405PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт
Код товара: 204124
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFP1405PBF
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, N-channel, 55V 95A 310W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
25 шт
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
95A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
166,67 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 11+ 25+ 50+ 100+211,12 ₽ 195,91 ₽ 183,83 ₽ 173,98 ₽ 166,67 ₽Срок:В наличииНаличие:9Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 11+ 25+ 50+ 100+211,12 ₽ 195,91 ₽ 183,83 ₽ 173,98 ₽ 166,67 ₽Срок:В наличииНаличие:71Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
30+ 60+ 297+425,46 ₽ 400,22 ₽ 393,01 ₽Срок:7 днейНаличие:400Минимум:Мин: 30Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFP1405PBF
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Width | 19.71mm |
| Forward Transconductance | 77s |
| Height | 5.31mm |
| Dimensions | 15.29 x 19.71 x 5.31mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 15.29mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 140 ns |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
irfp1405pbf.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка IRFP1405PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 899 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 796 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2299 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара