IRFI620GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A
Код товара: 204073
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFI620GPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
45,48 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRFI620GPBF
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 А |
| Тип корпуса | TO-220FP |
| Maximum Power Dissipation | 30 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 нКл при 10 В |
| Transistor Material | Кремний |
| Channel Mode | Поднятие |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -10 В, +10 В |
| Вес, г | 2 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
91146.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка IRFI620GPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара