IRFD210PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт

Код товара: 204030

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRFD210PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP, 1.0W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
100 шт
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

600мА

Сопротивление открытого канала

1.5 Ом

Мощность макс.

1Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

8.2нКл

Входная емкость

140пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

DIP-4

Вес брутто

0.56 г.

Описание IRFD210PBF

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRFD210PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.