IRF7351TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
Код товара: 203789
Цена от:
53,55 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 56+ 112+ 224+ 448+75,51 ₽ 69,23 ₽ 64,61 ₽ 60,92 ₽ 57,71 ₽Срок:В наличииНаличие:1 467Минимум:4Количество в заказ
-
1+ 56+ 112+ 224+ 448+75,51 ₽ 69,23 ₽ 64,61 ₽ 60,92 ₽ 57,71 ₽Срок:В наличииНаличие:1 640Минимум:4Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 56+ 112+ 224+ 448+75,51 ₽ 69,23 ₽ 64,61 ₽ 60,92 ₽ 57,71 ₽Срок:В наличииНаличие:567Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
134+ 222+ 444+57,89 ₽ 56,92 ₽ 53,55 ₽Срок:6 днейНаличие:1 460Минимум:Мин: 134Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF7351TRPBF
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
Структура | 2n-канала |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0178 ом при 8a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 18 |
Корпус | so8 |
Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF7351TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара