IRF7303TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт

irf7303pbf pdf, 230,5 кБ

Код товара: 203765

Дата обновления: 18.07.2024 00:10

Цена от: 45,21 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF7303TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SO-8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.2 г.
Тип транзистора

2N-канальный
Особенности

стандартный
Максимальное напряжение сток-исток

30 В
Маскимальный ток стока

4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Полезная информация

Описание IRF7303TRPBF

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	4.9 A
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	5мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	6.8 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	22 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	80 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	25 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	520 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF7303PBF MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Функциональные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
AO4812 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 6.9A 28mOhm

Наличие:
8059 шт
По складам

Минимум:
шт

Цена от:
12,18 ₽

Hottech

SOP8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF7105TRPBF IRF7306TRPBF →