IRF640SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт

Код товара: 203735

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF640SPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, 3.1W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

18A

Сопротивление открытого канала

180 мОм

Мощность макс.

130Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

70нКл

Входная емкость

1300пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

2.3 г.

Описание IRF640SPBF

МОП-транзистор N-Chan 200V 18 Amp

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.18 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт130
Крутизна характеристики, S6.7
Корпусd2pak
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF640STRRPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Vishay
IRF640STRLPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF640SPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.