IRF610PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W
Артикул:
IRF610PBF
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт.
-
Вес брутто3.5 г.
Описание IRF610PBF
The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 ом при 2a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 36 |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара