IRF520PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
Артикул:
IRF520PBF
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.78 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF520PBF
The IRF520PBF is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.
• Dynamic dv/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
• ±20V Gate to source voltage
• 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
• 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 ом при 5.5a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
Крутизна характеристики, S | 2.7 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара