IRF4104SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Код товара: 203681
Цена от:
119,92 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 14+ 28+ 50+ 150+153,95 ₽ 142,30 ₽ 133,05 ₽ 125,52 ₽ 119,92 ₽Срок:В наличииНаличие:94Минимум:2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF4104SPBF
The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0055 ом при 75a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
Корпус | d2pak |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
IRF4104STRLPBF Полный аналог
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Наличие:
122 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 106,68₽
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF4104SPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 1613 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2650 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 1924 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара