IKW75N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Цена от:
322,98 руб.
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 30+ 60+ 120+ 210+381,90 ₽ 360,54 ₽ 343,92 ₽ 332,76 ₽ 322,98 ₽Срок:В наличииНаличие:69Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
13+ 22+ 50+517,08 ₽ 508,44 ₽ 478,26 ₽Срок:7 днейНаличие:50Минимум:Мин: 13Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW75N60TFKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.03мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 А |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 428 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 21.1мм |
| Высота | 5.16мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.03 x 21.1 x 5.16мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW75N60TFKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара