IKW50N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IKW50N60TFKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT N-CH 600V 80A 333W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Цена от:
301,98 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 11+ 22+ 60+ 90+369,06 ₽ 345,42 ₽ 327,96 ₽ 314,16 ₽ 301,98 ₽Срок:В наличииНаличие:434Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
15+ 22+ 43+ 211+ 1052+617,10 ₽ 532,14 ₽ 518,76 ₽ 505,32 ₽ 496,38 ₽Срок:25 днейНаличие:2 835Минимум:Мин: 15Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW50N60TFKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 26 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 299 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW50N60TFKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 355 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара