IKW50N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
IGBT N-CH 600V 80A 333W
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Артикул:
IKW50N60TFKSA1
Производитель:
Документы:
Описание IKW50N60TFKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 26 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 299 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара