IKW40N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Код товара: 202867
Цена от:
317,78 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 13+ 30+ 60+ 120+387,57 ₽ 362,96 ₽ 344,83 ₽ 330,43 ₽ 317,78 ₽Срок:В наличииНаличие:851Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 13+ 30+ 60+ 120+387,57 ₽ 362,96 ₽ 344,83 ₽ 330,43 ₽ 317,78 ₽Срок:В наличииНаличие:14Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW40N120T2FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство | trenchstop 2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 480 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 33 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 314 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус | pg-to247-3 |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW40N120T2FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара