IKW40N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Код товара: 202866
Цена от:
378,41 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 30+ 60+ 120+ 210+445,51 ₽ 421,14 ₽ 402,21 ₽ 389,54 ₽ 378,41 ₽Срок:В наличииНаличие:754Минимум:1Количество в заказ
-
1+ 30+ 60+ 120+ 210+445,51 ₽ 421,14 ₽ 402,21 ₽ 389,54 ₽ 378,41 ₽Срок:В наличииНаличие:66Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 30+ 60+ 120+ 210+445,51 ₽ 421,14 ₽ 402,21 ₽ 389,54 ₽ 378,41 ₽Срок:В наличииНаличие:52Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW40N120H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 16.03мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | Infineon |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 483 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Ширина | 5.16мм |
Высота | 21.1мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 16.03 x 5.16 x 21.1мм |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Тип канала | N |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW40N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара