IKW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Код товара: 202859
Цена от:
298,10 руб.
Внешние склады
-
25+ 41+ 81+322,26 ₽ 316,89 ₽ 298,10 ₽Срок:6 днейНаличие:380Минимум:Мин: 25Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW25N120H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 16.13мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | Infineon |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 326 Вт |
Energy Rating | 4.3mJ |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Ширина | 5.21мм |
Высота | 21.1мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Тип канала | N |
Емкость затвора | 1430пФ |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW25N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара