IKP15N65F5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт

Код товара: 202858

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKP15N65F5XKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
500 шт.
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
105 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

650 В

Макс. ток коллектора

30 А

Импульсный ток коллектора макс.

45 А

Макс. рассеиваемая мощность

105 Вт

Переключаемая энергия

130 мкДж

Корпус

TO-220

Описание IKP15N65F5XKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина10.36мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительInfineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора30 A
Тип корпусаTO-220
Максимальное рассеяние мощности105 Вт
Energy Rating0.17mJ
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-40 °C
Ширина4.57мм
Высота15.95мм
Число контактов3
Размеры10.36 x 4.57 x 15.95мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Тип каналаN
Емкость затвора930пФ
Вес, г2.8

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IKP15N65F5XKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.