IKD06N60RFATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт

Name: IKD06N60RFATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт
Brand: Infineon Technologies
SKU: 202855
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт

Код товара: 202855

Дата обновления: 03.03.2022 10:15

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IKD06N60RFATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

DPAK/TO-252AA
Нормоупаковка

2500 шт.
Вес брутто

0.6 г.
Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V
Макс. ток коллектора

12A
Макс. рассеиваемая мощность

100W

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← FGD3N60UNDF IKD06N60RATMA1 →