IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

Код товара: 202752

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IGW40T120FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270 W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
75A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200V

Макс. ток коллектора

75A

Макс. рассеиваемая мощность

270W

Корпус

TO-247

Вес брутто

8.5 г.

Описание IGW40T120FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технология/семействоtrench and fieldstop
Наличие встроенного диоданет
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A75
Импульсный ток коллектора (Icm), А105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс480
Рабочая температура (Tj), °C-40…+150
Корпусpg-to-247-3
Структураn-канал
Управляющее напряжение,В5.8
Крутизна характеристики, S21
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IGW40T120FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.