IGB50N60TATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт

Код товара: 202742

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IGB50N60TATMA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Нормоупаковка:
1000 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V

Макс. ток коллектора

90A

Макс. рассеиваемая мощность

333W

Корпус

D2PAK/TO263

Вес брутто

1.2 г.

Описание IGB50N60TATMA1

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт

Способы доставки в Калининград

Доставка IGB50N60TATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.