IGB50N60TATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Код товара: 202742
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IGB50N60TATMA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Цена от:
407,88 руб.
Внешние склады
-
18+ 26+ 52+ 256+ 1280+507,06 ₽ 437,22 ₽ 426,24 ₽ 415,20 ₽ 407,88 ₽Срок:28 днейНаличие:3 100Минимум:Мин: 18Количество в заказ
-
19+ 26+ 51+ 256+ 3100+507,30 ₽ 437,46 ₽ 426,48 ₽ 415,44 ₽ 408,06 ₽Срок:29 днейНаличие:3 100Минимум:Мин: 19Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание IGB50N60TATMA1
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Способы доставки в Калининград
Доставка IGB50N60TATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2224 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 6 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара