HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Код товара: 201335
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTP10N120BN
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Цена от:
117,48 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGTP10N120BN
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
HGT1S10N120BNS.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка HGTP10N120BN , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара