HGT1S10N120BNST, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Код товара: 201331
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGT1S10N120BNST
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Цена от:
124,46 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGT1S10N120BNST
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
HGT1S10N120BNS.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка HGT1S10N120BNST , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара