GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Код товара: 199545
Цена от:
104,04 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 75+ 125+ 250+ 475+153,96 ₽ 144,24 ₽ 136,74 ₽ 131,70 ₽ 127,26 ₽Срок:В наличииНаличие:6 578Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 75+ 125+ 250+ 475+153,96 ₽ 144,24 ₽ 136,74 ₽ 131,70 ₽ 127,26 ₽Срок:В наличииНаличие:842Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 75+ 125+ 250+ 475+153,96 ₽ 144,24 ₽ 136,74 ₽ 131,70 ₽ 127,26 ₽Срок:В наличииНаличие:573Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
5+ 11+ 51+ 101+ 201+121,86 ₽ 118,08 ₽ 112,50 ₽ 110,64 ₽ 104,04 ₽Срок:6 днейНаличие:4 148Минимум:Мин: 5Количество в заказ
-
42+ 84+ 418+269,94 ₽ 249,66 ₽ 245,16 ₽Срок:7 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 42Количество в заказ
-
24+ 29+ 58+ 289+ 20000+390,72 ₽ 384,24 ₽ 361,44 ₽ 354,90 ₽ 348,42 ₽Срок:29 днейНаличие:20 000Минимум:Мин: 24Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание GT50JR22
IGBT Discretes, Toshiba
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Корпус | to-3p(n) |
Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2590 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара