GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Цена от:
121,86 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 75+ 125+ 225+ 450+154,92 ₽ 144,96 ₽ 137,16 ₽ 132,00 ₽ 127,44 ₽Срок:В наличииНаличие:4 968Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 75+ 125+ 225+ 450+154,92 ₽ 144,96 ₽ 137,16 ₽ 132,00 ₽ 127,44 ₽Срок:В наличииНаличие:667Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 75+ 125+ 225+ 450+154,92 ₽ 144,96 ₽ 137,16 ₽ 132,00 ₽ 127,44 ₽Срок:В наличииНаличие:105Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
7+ 42+ 84+ 168+ 2072+140,82 ₽ 134,10 ₽ 131,88 ₽ 124,08 ₽ 121,86 ₽Срок:5 днейНаличие:2 072Минимум:Мин: 7Количество в заказ
-
6+ 21+ 43+ 85+ 1000+277,44 ₽ 264,24 ₽ 259,86 ₽ 244,44 ₽ 240,00 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 6Количество в заказ
-
9+ 13+ 26+ 127+1 021,68 ₽ 881,04 ₽ 858,78 ₽ 836,58 ₽Срок:25 днейНаличие:280Минимум:Мин: 9Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание GT50JR22
IGBT Discretes, Toshiba
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-3p(n) |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 367 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара