GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Код товара: 199545
Цена от:
108,12 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 75+ 125+ 250+ 475+153,96 ₽ 144,24 ₽ 136,74 ₽ 131,70 ₽ 127,26 ₽Срок:В наличииНаличие:7 495Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 75+ 125+ 250+ 475+153,96 ₽ 144,24 ₽ 136,74 ₽ 131,70 ₽ 127,26 ₽Срок:В наличииНаличие:1 872Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 75+ 125+ 250+ 475+153,96 ₽ 144,24 ₽ 136,74 ₽ 131,70 ₽ 127,26 ₽Срок:В наличииНаличие:394Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
44+ 48+ 95+ 190+ 949+124,98 ₽ 119,04 ₽ 117,06 ₽ 110,10 ₽ 108,12 ₽Срок:6 днейНаличие:2 865Минимум:Мин: 44Количество в заказ
-
42+ 84+ 420+269,04 ₽ 248,82 ₽ 244,38 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 42Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание GT50JR22
IGBT Discretes, Toshiba
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Корпус | to-3p(n) |
Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 663 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 304 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2583 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара