GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

Код товара: 199545

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
GT50JR22
Производитель:
Описание Eng:
IGBT N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V

Макс. ток коллектора

50A

Макс. рассеиваемая мощность

230W

Корпус

TO-3P(N)

Вес брутто

6.55 г.

Описание GT50JR22

IGBT Discretes, Toshiba

Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A50
Импульсный ток коллектора (Icm), А100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс330
Рабочая температура (Tj), °C-55…+175
Корпусto-3p(n)
Вес, г6.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.