FQP55N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А

Код товара: 198617

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQP55N10
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
1000 шт.
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
155Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

55A

Сопротивление открытого канала

26 мОм

Мощность макс.

155Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

98нКл

Входная емкость

2730пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220

Вес брутто

3.5 г.

Описание FQP55N10

QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Структураn-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.026 ом при 27.5a, 10в

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FQP55N10 , Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.