FQP33N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Код товара: 198604
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
211,94 руб.
Технические параметры
Описание FQP33N10
FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Lower conduction loss
• 175°C Maximum junction temperature rating
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 33 А |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 127 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.83мм |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 15 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 80 нс |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 52 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 38 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1150 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -25 В, +25 В |
| Вес, г | 2.5 |
FQP33N10.pdf