FQP12P20, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Код товара: 198590
Цена от:
48,36 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FQP12P20
• 100% Avalanche tested
• 31nC Typical gate charge
• 30pF Typical low Crss
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 11.5 A |
Тип корпуса | TO-220AB |
Максимальное рассеяние мощности | 120 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 4.7 |
Высота | 9.4мм |
Размеры | 10.1 x 4.7 x 9.4мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.1мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 20 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 40 нс |
Серия | QFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 470 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 31 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 920 pF @ 25 V |
Тип канала | A, P |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FQP12P20 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 1613 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2650 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 1924 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара