FQD19N10LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Код товара: 198549
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQD19N10LTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
41,49 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FQD19N10LTM
The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
• 100% Avalanche tested
• 14nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при 7.8a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 14 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FQD19N10L.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FQD19N10LTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара