FQD13N10LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Код товара: 198545

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD13N10LTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

10A

Сопротивление открытого канала

180 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

12нКл

Входная емкость

520пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-252-3

Описание FQD13N10LTM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FQD13N10LTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2590
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
Почта России
от 12 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.