FQA9N90C_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт
Код товара: 198507
Цена от:
201,45 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FQA9N90C_F109
The FQA9N90C_F109 is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
• Low gate charge (45nC)
• Low Crss (14pF)
• 100% avalanche tested
Base Product Number | FQA9 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power Dissipation (Max) | 280W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | QFETВ® -> |
Supplier Device Package | TO-3P |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FQA9N90C_F109 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара