FQA9N90C_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQA9N90C_F109
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
271,81 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 5+ 10+ 19+ 30+288,49 ₽ 285,56 ₽ 282,05 ₽ 277,66 ₽ 271,81 ₽Срок:В наличииНаличие:52Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 5+ 10+ 19+ 30+288,49 ₽ 285,56 ₽ 282,05 ₽ 277,66 ₽ 271,81 ₽Срок:В наличииНаличие:6Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
3+ 9+ 19+ 100+624,85 ₽ 595,09 ₽ 585,17 ₽ 550,46 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 3Количество в заказ
-
3+625,18 ₽Срок:7 днейНаличие:10Минимум:Мин: 3Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FQA9N90C_F109
The FQA9N90C_F109 is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
• Low gate charge (45nC)
• Low Crss (14pF)
• 100% avalanche tested
| Base Product Number | FQA9 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power Dissipation (Max) | 280W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | QFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQA9N90C_F109 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2175 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара