FQA11N90C_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A
Код товара: 198480
Цена от:
285,94 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FQA11N90C_F109
N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Base Product Number | FQA1 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | QFETВ® -> |
Supplier Device Package | TO-3P |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FQA11N90C_F109 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара