FQA11N90C_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A

Код товара: 198480

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQA11N90C_F109
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

900В

Ток стока макс.

11A

Сопротивление открытого канала

1.1 Ом

Мощность макс.

300Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

80нКл

Входная емкость

3290пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-3P

Вес брутто

5.4 г.

Описание FQA11N90C_F109

N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P

Base Product NumberFQA1 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3290pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 5.5A, 10V
REACH StatusREACH Unaffected
RoHS StatusROHS3 Compliant
SeriesQFETВ® ->
Supplier Device PackageTO-3P
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250ВµA
Вес, г6.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FQA11N90C_F109 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.