FGL60N100BNTD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт

Код товара: 197952

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FGL60N100BNTD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1000V 60A 180W TO264
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
25 шт
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1000 В

Макс. ток коллектора

60 А

Импульсный ток коллектора макс.

120 А

Макс. рассеиваемая мощность

180 Вт

Корпус

TO264

Вес брутто

12.52 г.

Описание FGL60N100BNTD

Корпус TO264

Технология/семействоnpt trench
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A60
Импульсный ток коллектора (Icm), А120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс630
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
КорпусTO-264
Вес, г10

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

FGL60N100BNTDTU Полный аналог Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка FGL60N100BNTD , Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.