FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Код товара: 197937
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGH40T120SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
555 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
Цена от:
661,80 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGH40T120SMD
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 15.87mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 4.82mm |
| Height | 20.82mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V |
| Channel Type | N |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FGH40T120SMD.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FGH40T120SMD , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара