FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGA60N65SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
450 шт
Корпус:
TO-3PN
Цена от:
203,94 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 8+ 16+ 31+ 62+295,56 ₽ 275,14 ₽ 258,93 ₽ 245,72 ₽ 235,90 ₽Срок:В наличииНаличие:249Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 8+ 16+ 31+ 62+295,56 ₽ 275,14 ₽ 258,93 ₽ 245,72 ₽ 235,90 ₽Срок:В наличииНаличие:195Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
36+ 53+ 105+ 521+249,06 ₽ 214,77 ₽ 209,36 ₽ 203,94 ₽Срок:25 днейНаличие:544Минимум:Мин: 36Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 120 А |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGA60N65SMD , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 208 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара