FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGA60N65SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
450 шт
Корпус:
TO-3PN
Цена от:
189,72 руб.
Внешние склады
-
39+ 58+ 115+225,66 ₽ 194,58 ₽ 189,72 ₽Срок:25 днейНаличие:450Минимум:Мин: 39Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 120 А |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FGA60N65SMD , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 367 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара