FGA50N100BNTD2, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт

Код товара: 197913

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FGA50N100BNTD2
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
450 шт.
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
156 Вт

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1000 В

Макс. ток коллектора

50 А

Импульсный ток коллектора макс.

200 А

Макс. рассеиваемая мощность

156 Вт

Корпус

TO-3P

Вес брутто

6.401 г.

Описание FGA50N100BNTD2

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FGA50N100BNTD2 , Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2240
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.