FGA50N100BNTD2, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGA50N100BNTD2
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
450 шт
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
156 Вт
Цена от:
1 210,32 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGA50N100BNTD2
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FGA50N100BNTD2 , Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 355 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара