FDS8880, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
Артикул:
FDS8880
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8N
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.22 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDS8880
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 11.6 A |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 2.5 W |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 4мм |
Высота | 2мм |
Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 5мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 7 нс |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 38 нс |
Серия | PowerTrench |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 10 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 23 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1235 пФ при 15 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.15 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара