FDS4435BZ, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт

Код товара: 197691

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDS4435BZ
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 8.8 A, 2.5 W
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SOIC-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

8.8A

Сопротивление открытого канала

20 мОм

Мощность макс.

1Вт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

40нКл

Входная емкость

1845пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Вес брутто

0.14 г.

Описание FDS4435BZ

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция
FDS4435 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ) Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDS4435BZ , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 299
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.