FDP22N50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Код товара: 197623
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDP22N50N
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
312.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
609,67 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FDP22N50N
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 22 A |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Максимальное рассеяние мощности | 312,5 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.5мм |
| Высота | 9.2мм |
| Размеры | 9.9 x 4.5 x 9.2мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 9.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 22 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 48 нс |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 220 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2456 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FDP22N50N.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FDP22N50N , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара