FDP22N50N, Транзистор полевой N-канальный 500В 22A

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

MOSFET N-CH 500V 22A TO-220

Транзистор полевой N-канальный 500В 22A

FDP22N50N pdf, 0,9 мБ

Код товара: 197623

Дата обновления: 03.01.2023 13:15

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FDP22N50N , Транзистор полевой N-канальный 500В 22A в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

50 шт
Вес брутто

3.5 г.
Напряжение исток-сток макс.

500В
Ток стока макс.

22A
Сопротивление открытого канала

220 мОм
Мощность макс.

312.5Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

5В
Заряд затвора

65нКл
Входная емкость

3200пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание FDP22N50N

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	22 A
Тип корпуса	TO-220
Максимальное рассеяние мощности	312,5 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.5мм
Высота	9.2мм
Размеры	9.9 x 4.5 x 9.2мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	9.9мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	22 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	48 нс
Серия	UniFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	220 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	500 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	49 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	2456 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2.5

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← FDP20N50 FDP2552 →