FDG311N, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А

Код товара: 197341

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDG311N
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

20В

Ток стока макс.

1.9A

Сопротивление открытого канала

115 мОм

Мощность макс.

480мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.

1.5В

Заряд затвора

4.5нКл

Входная емкость

270пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-363

Вес брутто

0.05 г.

Описание FDG311N

Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FDG311N , Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.