FDFMA3N109, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А

Код товара: 197333

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDFMA3N109
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт.
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
123 мОм
Мощность макс.:
650мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

30В

Ток стока макс.

2.9A

Сопротивление открытого канала

123 мОм

Мощность макс.

650мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.

1.5В

Заряд затвора

3нКл

Входная емкость

220пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Описание FDFMA3N109

Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FDFMA3N109 , Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.