FDD850N10L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт

Код товара: 197306

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDD850N10L
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, N-channel, 100 V, 15 A, 50 W
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.7A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

100В

Ток стока макс.

15.7A

Сопротивление открытого канала

75 мОм

Мощность макс.

50Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

28.9нКл

Входная емкость

1465пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.66 г.

Описание FDD850N10L

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDD850N10L , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 139
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.