FDC655BN, Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A
Код товара: 197249
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDC655BN
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
114,77 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FDC655BN
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.3 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 1.7mm |
| Height | 1mm |
| Dimensions | 3 x 1.7 x 1mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Brand | ON Semiconductor |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Series | PowerTrench |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Pin Count | 6 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 470 pF @ 15 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.08 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FDC655BN.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FDC655BN , Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара