FDB33N25TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт

Код товара: 197189

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDB33N25TM
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 33 A, 235 W
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

250В

Ток стока макс.

33A

Сопротивление открытого канала

94 мОм

Мощность макс.

235Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

48нКл

Входная емкость

2135пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

2.1 г.

Описание FDB33N25TM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDB33N25TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.