FDB047N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А

Код товара: 197170

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDB047N10
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Ток стока макс.

120A

Сопротивление открытого канала

4.7 мОм

Мощность макс.

375Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

4.5В

Заряд затвора

210нКл

Входная емкость

15265пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2PAK/TO263

Описание FDB047N10

Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FDB047N10 , Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.